士蘭微、国内初のデュアル認証取得ボディ用プリドライバチップを発表

インフィニオン テクノロジーズ マニュファクチャリング タイランドは10月1日、サムットプラーカーン県に新工場を開設した。開所式にはアヌティン・チャーンウィラクーン首相が議長として出席し、エカニティ・ニティタンプラパート副首相兼財務大臣も同席した。この工場はBOIから投資額480億バーツ超で投資奨励を受けており、パワー制御チップシステムの生産、集積回路とウェハーのテスト、半導体製品の研究開発をカバーする。同工場はインフィニオンのパワー制御チップシステムの第3の生産拠点で、ドイツと中国に続くもので、フェーズ1から始まり最大5フェーズまで拡張する計画だ。5フェーズすべてが拡張されれば、クリーンルームの総面積15万平方メートルで、インフィニオンの世界最大の組み立て・テスト生産拠点となり、現在の同社最大の工場の約2倍の規模となる。インフィニオンはタイ人を合計5000人以上雇用する計画で、各フェーズで約1000人に相当する。BOIは、科学技術分野のタイ人材を600人以上育成し、130人以上のタイ人材を海外で専門技術の訓練に派遣することを条件として課している。

芯聯集成は28日夜、第3四半期の業績予想を発表し、2026年第1～3四半期の売上高は約77億6600万元、前年同期比で約43.23％増、純利益は約6億8100万元となり、前年同期の赤字から黒字に転換する見通しを示した。同社は機関投資家向け調査で、第3四半期にMOSFET、IGBT、炭化ケイ素、アナログチップなど全製品を対象に価格改定を開始し、全体の値上げ幅は15～25％で、現在各事業部門での値上げは全面的に実行に移されており、総合的な実際の値上げ幅は約15％だと説明した。値上げによる売上高と粗利益への効果は第3四半期から表れ始め、第4四半期に本格的に顕在化するという。生産能力については、芯聯集成の8インチ炭化ケイ素ウエハーの月産能力はすでに7000枚に達しており、月産1万5000枚へ急速に拡大する計画だ。また、同社は合弁会社である芯聯先進への出資払い込みを全額完了し、累計で登録資本金21億2900万元を払い込み、25.1％を保有する筆頭株主となった。この資金は芯聯先進の第4期プロジェクト建設に専用され、同プロジェクトの総投資額は約200億元、資本金規模は120億元で、月産5万枚の12インチ車載グレードデジタル・アナログ混載チップ生産ラインの構築を計画している。中信建投は、芯聯集成が黒字転換し、規模拡大の段階から利益創出の段階に入ったと指摘した。

BOIは、インフィニオン・テクノロジーズ・マニュファクチャリング（タイランド）社が2026年10月1日、サムットプラカーン県で新工場を正式に開所する予定であると明らかにした。このプロジェクトはBOIから480億バーツ超の投資促進を受けており、パワーモジュールの生産、半導体のテスト、そしてタイ国内で同社初となる大規模な半導体製品の研究開発センターの設置が含まれる。この工場は、インフィニオン・テクノロジーズAGにとってドイツ、中国に次ぐ世界3番目のパワーモジュール生産拠点となり、電気自動車、エネルギーシステム、データセンター市場に対応する。BOIは条件として、同社がタイ人科学技術人材を600人以上育成すること、うち生産ラインのエンジニアが400人以上、研究開発部門が200人以上であることを課している。また、タイ人スタッフ130人以上を海外に派遣し専門技術の研修を受けさせる。同社はさらに、タイの大学と協力して半導体分野の科目を60科目以上開発し、学部生1,100人以上が680のプロジェクトを通じて研究開発のトレーニングに参加する機会を提供し、国内の大学や研究機関と18件以上の共同研究を行う計画である。加えて、タイの企業14社以上を世界の半導体サプライチェーンに参入させる。タイ国内での研究開発費として280億バーツ以上を支出する計画である。BOIのナルット・テーラスティラサック事務局長は、今回の投資はタイがより包括的な半導体産業基盤を構築しつつあることを示しており、国家半導体戦略に合致すると述べた。同戦略は最初の5年間で5,000億バーツ以上の投資を誘致し、2050年までに2兆5,000億バーツに増やし、産業からの収入を年間5兆バーツ以上とし、高度技能雇用を23万人以上創出することを目標としている。現在、タイには半導体・電子産業の事業者が約900社あり、人材は33万6,000人以上いる。2026年上半期、タイは半導体・電子製品を約1兆6,000億バーツ輸出し、これは全輸出の約26%に相当する。2023年から2026年6月までの間、半導体・先端電子分野の投資促進申請は合計879件、額は9,090億バーツ超であった。一方、電子回路基板（PCB）産業では、同期間に224件、3,310億バーツ超の投資促進申請があった。

銀河微電の公告によると、同社は自己資金または自己調達資金10億7800万元を投じ、高端核心デバイス産業化および革新能力建設プロジェクトを実施する。このプロジェクトは、同社がすでに開示している高端集積回路ディスクリートデバイス産業化基地第1期工場建設プロジェクトの延長線上にあり、主に第1期工場を基礎として改装工事、設備購入・設置、生産ライン調整、顧客認証を実施する。プロジェクト対象製品は、SGT/SJ、IGBT、SiC/GaNなどの先進チップ構造を採用し、AEC-Q101などの高信頼性認証を取得した、新エネルギー車、エネルギー貯蔵、工業などの参入障壁の高いシーン向けパワーディスクリートデバイスおよび第3世代半導体デバイスで、主にSGTMOS、スーパージャンクションMOS、IGBTおよびモジュール、SiCデバイス、IPMモジュール、車載グレードTVS/ESDなどを含み、従来の民生用小信号ダイオードや一般低圧プレーナ型デバイスとは異なる。