Atomera Inc

Atomera รายงานว่าบรรลุจุดสำคัญด้านการผลิตกับหนึ่งในลูกค้าเกตออลอะราวด์ที่ยังดำเนินการอยู่สองราย ซึ่งก้าวไปสู่การออกใบอนุญาตในโรงงานที่มีศักยภาพ บริษัทยังประกาศว่าตลาดที่สามารถเข้าถึงได้ทั้งหมดสำหรับเทคโนโลยี MST เพิ่มขึ้นมากกว่าสองเท่า ด้วยการนำไปใช้ใหม่ในวงจรรอบนอกของหน่วยความจำแฟลช NAND ซึ่งขับเคลื่อนโดยความต้องการด้าน AI ในส่วนของแกลเลียมไนไตรด์บนซิลิคอน ผลการทดสอบ RF แสดงความเป็นเชิงเส้นที่ดีกว่าพื้นผิวอ้างอิงประมาณ 1,000 เท่า ที่ระดับการขับเคลื่อนมาตรฐาน ซึ่งเปิดตลาดใหม่ที่มีศักยภาพสำหรับฟร้อนท์เอนด์ RF แบบรวมอย่างสมบูรณ์ สำหรับไตรมาสที่สองของปี 2026 รายได้อยู่ที่ 158,000 ดอลลาร์ และขาดทุนสุทธิตาม GAAP อยู่ที่ 6.3 ล้านดอลลาร์ หรือ 0.17 ดอลลาร์ต่อหุ้น เทียบกับขาดทุนสุทธิ 5 ล้านดอลลาร์ หรือ 0.17 ดอลลาร์ต่อหุ้น ในไตรมาสที่สองของปี 2025 แนวทางค่าใช้จ่ายดำเนินงานที่ไม่ใช่ GAAP สำหรับปี 2026 ถูกปรับให้แคบลงมาที่ช่วงบนของกรอบ 18.25 ล้านดอลลาร์ ถึง 18.75 ล้านดอลลาร์ ซึ่งสะท้อนต้นทุนที่เพิ่มขึ้นในด้านวิศวกรรมภายนอกและการเช่าเครื่องมือ

Atomera ได้นำเสนอแนวทางใหม่โดยใช้เทคโนโลยี MST ที่เป็นกรรมสิทธิ์ของบริษัท เพื่อเอาชนะข้อจำกัดด้านประสิทธิภาพใน GaN-on-Silicon สำหรับการใช้งาน RF วิธีการนี้แทรกชั้นบางที่ปรับแต่งด้วยออกซิเจนลงในแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน ซึ่งช่วยปรับปรุงคุณภาพของผลึกและลดการสูญเสียจากช่องทางพาราซิติกที่เคยจำกัดประสิทธิภาพความถี่สูงมาโดยตลอด การทดสอบแสดงให้เห็นว่าเทคนิคนี้ลดประจุพาราซิติกที่อินเทอร์เฟซลงมากกว่าหนึ่งลำดับขนาด และช่วยให้มีความเป็นเชิงเส้นที่ยอดเยี่ยมที่ระดับกำลังสูง ทำให้อุปกรณ์ GaN-on-Silicon ที่มีต้นทุนต่ำกว่าสามารถเทียบเท่าประสิทธิภาพของเทคโนโลยีที่มีราคาแพงกว่าอย่าง RF SOI ได้ บริษัทคาดว่าความก้าวหน้าครั้งนี้จะสร้างโอกาสในการเติบโตอย่างมีนัยสำคัญ ด้วยการนำเสนอโซลูชันที่คุ้มค่าและมีประสิทธิภาพสูงสำหรับโครงสร้างพื้นฐานโทรคมนาคม 5G, 6G และในอนาคต