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JEOL、低角度イオンミリング走査電子顕微鏡HAXISを発売
JEOLは、新型の低角度イオンミリング走査電子顕微鏡HAXISを開発し、2026年10月5日に販売を開始したと発表した。本装置は、低角度イオンミリングによる層除去と走査電子顕微鏡によるイメージング、およびパッシブ電圧コントラスト分析を組み合わせた半導体故障解析プラットフォームである。同社によると、HAXISは不活性ガスであるアルゴンを用いることで安定した表面品質を確保しつつランニングコストを低減し、先端半導体においても明瞭で再現性の高いPVC観察を実現する。この統合ワークフローは、電気的故障の検出から物理解析、根本原因の特定に至るまでのプロセスを迅速化し、短いターンアラウンドタイムでの故障解析を支援するよう設計されている。JEOLは、代表取締役社長兼CEOの大井泉氏が率いている。
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6951.JP · Technology · Positive JEOL developed and launched HAXIS, a new low-angle ion-milling SEM platform for semiconductor failure analysis.